A new method and apparatus for detecting and measuring the level of metal
present on the surface of a substrate is achieved. Energy, in the form of
rf or light or microwave energy, is directed at the surface of a wafer,
the reflected energy or the energy that passes through the semiconductor
substrate is captured and analyzed for energy level and/or frequency
content. Based on this analysis conclusions can be drawn regarding
presence and type of metal on the surface of the wafer. Furthermore, by
inclusion of metal within the resonating circuit of an rf generator
changes the frequency of the vibration and therefore detects the presence
of metal.
Достиганы новые метод и прибор для обнаруживать и измерять уровень металла присытствыющий на поверхности субстрата. Энергия, in the form of энергия rf или света или микроволны, направлена на поверхность вафли, отраженной энергии или энергии которую пропускам через субстрат полупроводника захватывают и анализируют для уровня энергии and/or содержания частоты. Основано на заключениях этого анализа смогите быть нарисовано относительно присутсвия и типа металла на поверхности вафли. Furthermore, включением металла внутри resonating цепь rf генератор изменяет частоту вибрации и поэтому обнаруживает присутсвие металла.
