A semiconductor laser diode and method are described, wherein the path of
the current through the device between the positive and negative
conductors is controlled. Lateral spread of the gain current in the active
region is prevented by implanting protons in areas of the active layer
flanking a desired gain region. The implanted regions become less
conductive, and prevent lateral spread of the gain current. The position
of the implanted regions can be selected so that the gain current only
crosses a portion of the active layer that supports desired lateral modes
of the laser light.
Een diode van de halfgeleiderlaser en een methode worden beschreven, waarin de weg van de stroom door het apparaat tussen de positieve en negatieve leiders wordt gecontroleerd. De zijde die van de aanwinstenstroom wordt uitgespreid in wordt het actieve gebied verhinderd door protonen op gebied van de actieve laag te inplanteren flankerend een gewenst aanwinstengebied. De geïnplanteerde gebieden worden minder geleidend, en verhinderen zijde die van de aanwinstenstroom wordt uitgespreid. De positie van de geïnplanteerde gebieden kan worden geselecteerd zodat de aanwinstenstroom slechts een gedeelte van de actieve laag kruist die gewenste zijwijzen van het laserlicht steunt.
