A process for transfer of at least one thin film of solid material
delimited in an initial substrate. The process includes a step in which a
layer of inclusions is formed in the initial substrate at a depth
corresponding to the required thickness of the thin film. These inclusions
are designed to form traps for gaseous compounds which subsequently are
implanted. In a subsequent step gaseous compounds are implanted in a
manner to convey the gaseous compounds into the layer of inclusions. The
dose of implanted gaseous compounds is made sufficient to cause the
formation of micro-cavities to form a fracture plane along which the thin
film can be separated from the remainder of the substrate.
Μια διαδικασία για τη μεταφορά τουλάχιστον μιας λεπτής ταινίας του στερεού υλικού που οριοθετείται σε ένα αρχικό υπόστρωμα. Η διαδικασία περιλαμβάνει ένα βήμα στο οποίο ένα στρώμα των συνυπολογισμών διαμορφώνεται στο αρχικό υπόστρωμα σε ένα βάθος που αντιστοιχεί στο απαραίτητο πάχος της λεπτής ταινίας. Αυτοί οι συνυπολογισμοί έχουν ως σκοπό να διαμορφώσουν τις παγίδες για τις αεριώδεις ενώσεις που στη συνέχεια εμφυτεύονται. Σε ένα επόμενο βήμα οι αεριώδεις ενώσεις εμφυτεύονται με έναν τρόπο για να μεταβιβάσουν τις αεριώδεις ενώσεις στο στρώμα των συνυπολογισμών. Η δόση των εμφυτευμένων αεριωδών ενώσεων γίνεται επαρκής για να αναγκάσει το σχηματισμό των μικροκοιλοτήτων για να διαμορφώσει ένα αεροπλάνο σπασίματος κατά μήκος του οποίου η λεπτή ταινία μπορεί να χωριστεί από το υπόλοιπο του υποστρώματος.
