Semiconductor memory device

   
   

A filter (FT1) is a low-pass filter in which a magnetic tunnel resistance element (MR) and a capacitor (C) are connected to each other in the shape of L. Further, in the filter (FT1), terminals (T1, T2) serve as input terminals and terminals (T3, T4) serve as output terminals. A current to change the magnetization direction of the magnetic tunnel resistance element (MR) is supplied through a current source (IP). With such a constitution, it is possible to provide an analog circuit, including a filter, a amplifier or the like, which can correct variations in value of elements caused by process variations in the manufacturing process.

Un filtro (FT1) es un filtro low-pass en el cual un elemento magnético de la resistencia del túnel (SR.) y un condensador (c) están conectados el uno al otro en la forma de L. Además, en el filtro (FT1), los terminales (T1, t2) sirven mientras que los terminales y los terminales (T3, T4) de la entrada sirven como terminales de salida. Una corriente para cambiar la dirección de la magnetización del elemento magnético de la resistencia del túnel (SR.) se provee con una fuente actual (IP). Con tal constitución, es posible proporcionar un circuito análogo, incluyendo un filtro, un amplificador o los similares, que pueden corregir variaciones en el valor de los elementos causados por variaciones de proceso en el proceso de fabricación.

 
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< Device and method for repairing a semiconductor memory

> Local thermal enhancement of magnetic memory cell during programming

> Magnetic switching element and a magnetic memory

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