A methodology for forming a memory cell is disclosed, wherein an organic
polymer layer is formed over a conductive layer and an electrode layer is
formed over the organic polymer layer. A first via is etched into the
electrode and organic polymer layers, and a dielectric material is applied
over the stack to at least fill in the first via. A second via is then
etched into the dielectric material so as to expose and make the electrode
layer available as a top electrode. A wordline is then formed over the
dielectric material such that the top electrode is connected to the
wordline by way of the second via. A memory device formed in accordance
with the disclosed methodology includes a top electrode formed over an
organic polymer layer, a conductive layer under the organic polymer layer,
a via defined by a dielectric material and located above the top
electrode, and a wordline formed over the dielectric material such that
the top electrode is connected to the wordline by way of the via.
Een methodologie voor het vormen van een geheugencel wordt onthuld, waarin een organische polymeerlaag meer dan een geleidende laag wordt gevormd en een elektrodenlaag meer dan de organische polymeerlaag wordt gevormd. Eerste via wordt geëtst in de elektrode en de organische polymeerlagen, en een diëlektrisch materiaal wordt toegepast meer dan de stapel om eerste via minstens in te vullen. Een seconde via wordt dan geëtst in het diëlektrische materiaal om en de elektrodenlaag bloot te stellen als hoogste elektrode ter beschikking te stellen. Een wordline wordt dan gevormd over het diëlektrische materiaal dusdanig dat de hoogste elektrode met wordline als tweede via wordt verbonden. Een geheugenapparaat dat in overeenstemming met de onthulde methodologie wordt gevormd omvat een hoogste elektrode die over een organische polymeerlaag, een geleidende laag onder de organische polymeerlaag wordt gevormd, a via bepaald door een diëlektrisch materiaal en gelegen boven de hoogste elektrode, en een wordline die over diëlektrische materieel wordt gevormd zulke dat de hoogste elektrode met wordline door manier van via wordt verbonden.
