Antireflective structures according to the present invention comprise a
metal silicon nitride composition in a layer that is superposed upon a
layer to be patterned that would other wise cause destructive reflectivity
during photoresist patterning. The antireflective structure has the
ability to absorb light used during photoresist patterning. The
antireflective structure also has the ability to scatter unabsorbed light
into patterns and intensities that are ineffective to photoresist material
exposed to the patterns and intensities.
Preferred antireflective structures of the present invention comprise a
semiconductor substrate having thereon at least one layer of a
silicon-containing metal or silicon-containing metal nitride. The
semiconductor substrate will preferably have thereon a feature size with
width dimension less than about 0.5 microns, and more preferably less than
about 0.25 microns.
One preferred material for the inventive antireflective layer includes
metal silicon nitride ternary compounds of the general formula M.sub.x
Si.sub.y N.sub.z wherein M is at least one transition metal, x is less
than y, and z is in a range from about 0 to about 5y. Preferably, the Si
will exceed M by about a factor of two. Addition of N is controlled by the
ratio in the sputtering gas such as Ar/N. Tungsten is a preferred
transition metal in the fabrication of the inventive antireflective
coating. A preferred tungsten silicide target will have a composition of
silicon between 1 and 4 in stoichiometric ratio to tungsten. Composite
antireflective layers made of metal silicide binary compounds or metal
silicon nitride ternary compounds may be fashioned according to the
present invention depending upon a specific application.
As estruturas de Antireflective de acordo com a invenção atual compreendem uma composição do nitride de silicone do metal em uma camada que seja superposed em cima de uma camada a ser modelada que o outro reflectivity destrutivo da causa sábia durante modelar do photoresist. A estrutura antireflective tem a abilidade de absorver claro usado durante modelar do photoresist. A estrutura antireflective tem também a abilidade de dispersar unabsorbed a luz em testes padrões e as intensidades que são ineficazes ao material do photoresist expuseram aos testes padrões e às intensidades. As estruturas antireflective preferidas da invenção atual compreendem uma carcaça do semicondutor que tem thereon ao menos uma camada de um metal silicone-contendo ou quecontem o nitride do metal. A carcaça do semicondutor terá preferivelmente thereon um tamanho da característica com dimensão da largura mais menos do que aproximadamente 0.5 mícron, e mais preferivelmente menos do que aproximadamente 0.25 mícron. Um preferiu o material para a camada antireflective inventive inclui compostos ternários do nitride de silicone do metal da fórmula geral M.sub.x Si.sub.y N.sub.z wherein M é ao menos um metal da transição, x é menos do que y, e z está em uma escala de aproximadamente 0 aproximadamente a 5y. preferivelmente, o silicone excederá M aproximadamente por um fator de dois. A adição de N é controlada pela relação no gás sputtering tal como Ar/N. O tungstênio é um metal preferido da transição na fabricação do revestimento antireflective inventive. Um alvo preferido do silicide do tungstênio terá uma composição de um silicone entre 1 e 4 na relação stoichiometric ao tungstênio. As camadas antireflective compostas feitas de compostos binários do silicide do metal ou de compostos ternários do nitride de silicone do metal podem ser formadas de acordo com a invenção atual dependendo em cima de uma aplicação específica.
