Laser apparatus, laser annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device

   
   

To provide a laser apparatus and a laser annealing method with which a crystalline semiconductor film with a larger crystal grain size is obtained and which are low in their running cost. A solid state laser easy to maintenance and high in durability is used as a laser, and laser light emitted therefrom is linearized to increase the throughput and to reduce the production cost as a whole. Further, both the front side and the back side of an amorphous semiconductor film is irradiated with such laser light to obtain the crystalline semiconductor film with a larger crystal grain size.

Για να παρέχει μια συσκευή λέιζερ και μια ανοπτώντας μέθοδο λέιζερ με την οποία μια κρυστάλλινη ταινία ημιαγωγών με ένα μεγαλύτερο μέγεθος σιταριού κρυστάλλου λαμβάνεται και που είναι χαμηλές στο τρέχον κόστος τους. Ένα στερεάς κατάστασης λέιζερ εύκολο στη συντήρηση και υψηλό στη διάρκεια χρησιμοποιείται ως λέιζερ, και το φως λέιζερ εκπεμπόμενο απ' αυτό είναι γίνοντα γραμμικό για να αυξήσει τη ρυθμοαπόδοση και για να μειώσει το κόστος παραγωγής συνολικά. Περαιτέρω, και η μπροστινή πλευρά και η πίσω πλευρά μιας άμορφης ταινίας ημιαγωγών ακτινοβολούνται με τέτοιο φως λέιζερ για να λάβουν την κρυστάλλινη ταινία ημιαγωγών με ένα μεγαλύτερο μέγεθος σιταριού κρυστάλλου.

 
Web www.patentalert.com

< Electrooptical unit with a flexible board and electronic apparatus

< Light emitting device

> Extended wavelength strained layer lasers having nitrogen disposed therein

> Method for manufacturing a display device, and display device substrate

~ 00117