Apparatus and method for driving ferroelectric memory

   
   

Disclosed is an apparatus and method for driving a ferroelectric memory that can secure an enough read/write cycle time of a corresponding address during a chip is driven. In a driving circuit to generate an operation pulse for controlling operation of a ferroelectric chip, the ferroelectric memory driving apparatus includes an address latch block for latching a buffered address signal by a feedback cell operation pulse, an address transition detection summation value outputting block for generating an address transition detection pulse by detecting change of an address signal, and for outputting summation of address transition pulses generated by a plurality of addresses, a pulse width extension/control pulse generating block for extending a pulse width of the summation of the address transition pulses and outputting a chip control pulse by using an extended signal, and a cell operation pulse generating block for generating a cell operating pulse with a pulse width required on a read/write chip operation by using the chip control pulse, wherein in an active region of the cell operation pulse corresponding the address, an ATD signal of a different address is not generated.

Αποκαλύπτεται μια συσκευή και η μέθοδος για μια σιδηροηλεκτρική μνήμη που μπορεί να εξασφαλίσει το αρκετά ανάγνωσες-γραφής κύκλος ζωών μιας αντίστοιχης διεύθυνσης κατά τη διάρκεια ενός τσιπ οδηγείται. Σε ένα οδηγώντας κύκλωμα για να παραγάγει έναν σφυγμό λειτουργίας για τον έλεγχο της λειτουργίας ενός σιδηροηλεκτρικού τσιπ, η σιδηροηλεκτρική οδηγώντας συσκευή μνήμης περιλαμβάνει έναν φραγμό συρτών διευθύνσεων για να κλείσει ένα αποθηκευμένο σήμα διευθύνσεων με το μάνταλο από έναν σφυγμό λειτουργίας κυττάρων ανατροφοδότησης, ένας outputting φραγμός αξίας αθροίσματος ανίχνευσης μετάβασης διευθύνσεων για την παραγωγή ενός σφυγμού ανίχνευσης μετάβασης διευθύνσεων με την ανίχνευση της αλλαγής ενός σήματος διευθύνσεων, και για το άθροισμα των σφυγμών μετάβασης διευθύνσεων που παράγονται από μια πολλαπλότητα των διευθύνσεων, μια επέκταση πλάτους σφυγμού/ένας σφυγμός ελέγχου που παράγει το φραγμό για την επέκταση ενός πλάτους σφυγμού του αθροίσματος των σφυγμών μετάβασης διευθύνσεων και ένας σφυγμός ελέγχου τσιπ με τη χρησιμοποίηση ενός εκτεταμένου σήματος, και ένας σφυγμός λειτουργίας κυττάρων που παράγει το φραγμό για την παραγωγή πλάτος σφυγμού που απαιτείται σε μια ανάγνωση-γραφής λειτουργία τσιπ με τη χρησιμοποίηση του σφυγμού ελέγχου τσιπ, όπου σε μια ενεργό περιοχή του σφυγμού λειτουργίας κυττάρων που αντιστοιχεί η διεύθυνση, ένα σήμα ATD μιας διαφορετικής διεύθυνσης δεν παράγεται.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device and method for driving the same

< Electrically programmable three-dimensional memory-based self test

> Nonvolatile ferroelectric memory device and method of fabricating the same

> Method for manufacturing semiconductor device

~ 00117