Apparatus for monitoring thickness of deposited layer in reactor and dry processing method

   
   

A dry processing apparatus includes a processing chamber provided with a measurement window having a reflection portion which totally reflects light on the side of an inner surface thereof and a transmission portion. When a layer is not deposited, measurement light is irradiated so that the light is totally reflected by the reflection portion. A deviation between the measurement light reflected by a surface of the deposited layer and the measurement light reflected by the reflection portion is measured to determine a thickness of the deposited layer. A quantity of light reflected by the surface of the deposited layer is compared with the light quantity in case where irregularities are not formed in the surface of the deposited layer to evaluate a state of irregularities of the surface. The thickness of the deposited layer and a state of the surface of the layer are monitored separately.

Een droog verwerkingsapparaat omvat een verwerkingskamer die van een metingsvenster wordt voorzien dat een bezinningsgedeelte heeft dat totaal op licht daarvan aan de kant van een binnenoppervlakte en een transmissiegedeelte wijst. Wanneer een laag niet wordt gedeponeerd, wordt het metingslicht bestraald zodat het licht totaal door het bezinningsgedeelte wordt weerspiegeld. Een afwijking tussen het metingslicht dat door een oppervlakte van de gedeponeerde laag wordt en het metingslicht dat door het bezinningsgedeelte wordt weerspiegeld weerspiegeld wordt gemeten om een dikte van de gedeponeerde laag te bepalen. Een hoeveelheid licht die door de oppervlakte van de gedeponeerde laag wordt weerspiegeld wordt vergeleken met de lichte hoeveelheid voor het geval dat waar de onregelmatigheden in de oppervlakte van de gedeponeerde laag worden gevormd om geen staat van onregelmatigheden van de oppervlakte te evalueren. De dikte van de gedeponeerde laag en een staat van de oppervlakte van de laag worden afzonderlijk gecontroleerd.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device and method of manufacturing the same

< Group III-nitride growth on Si substrate using oxynitride interlayer

> Chip testing within a multi-chip semiconductor package

> High speed implanted VCSEL

~ 00117