The stack-type DRAM memory structure of the present invention comprises a
plurality of self-aligned thin third conductive islands over shallow
heavily-doped source diffusion regions without dummy transistors to obtain
a cell size of 6F.sup.2 or smaller; a rectangular tube-shaped cavity
having a conductive island formed above a nearby transistor-stack being
formed over each of the self-aligned thin third conductive islands to
offer a larger surface area for forming a high-capacity DRAM capacitor of
the present invention; a planarized third conductive island being formed
between a pair of first sidewall dielectric spacers and on each of shallow
heavily-doped common-drain diffusion regions to offer a larger contact
area and a higher contact integrity; and a plurality of planarized
conductive contact-islands being formed over the planarized third
conductive islands to eliminate the aspect-ratio effect and being
patterned and etched simultaneously with a plurality of bit lines.
Η δομή μνήμης σωρός-τύπων DRAM της παρούσας εφεύρεσης περιλαμβάνει μια πολλαπλότητα των μόνος-ευθυγραμμισμένων λεπτά τρίτων αγώγιμων νησιών πέρα από τις ρηχές βαριά-ναρκωμένες περιοχές διάχυσης πηγής χωρίς πλαστές κρυσταλλολυχνίες για να λάβει ένα μέγεθος κυττάρων 6F.sup.2 ή μικρότερος μια ορθογώνια σωλήνας-διαμορφωμένη κοιλότητα που έχει ένα αγώγιμο νησί διαμορφωμένο επάνω από έναν κοντινό κρυσταλλολυχνία-σωρό που διαμορφώνεται πέρα από κάθε ένα από τα μόνος-ευθυγραμμισμένα λεπτά τρίτα αγώγιμα νησιά για να προσφέρει μια μεγαλύτερη περιοχή επιφάνειας για τη διαμόρφωση ενός μεγάλης χωρητικότητας πυκνωτή DRAM της παρούσας εφεύρεσης το α το τρίτο αγώγιμο νησί που διαμορφώνεται μεταξύ ενός ζευγαριού των πρώτων sidewall διηλεκτρικών πλήκτρων διαστήματος και σε κάθε μια από τις ρηχές βαριά-ναρκωμένες περιοχές διάχυσης κοινός-αγωγών για να προσφέρει μια μεγαλύτερη περιοχή επαφών και μια ακεραιότητα υψηλότερων επαφών και μια πολλαπλότητα τα αγώγιμα επαφή-νησιά που διαμορφώνονται πέρα από τα τρίτα αγώγιμα νησιά για να αποβάλει την πτυχή-αναλογία επίδραση και διαμόρφωση και χαραγμένος ταυτόχρονα με μια πολλαπλότητα των γραμμών κομματιών.
