The present invention relates to apparatuses for continuous and efficient
heat-treatment of semiconductor films upon thermally susceptible
non-conducting substrates at a minimum thermal budget, and more
particularly, to a polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-Si
TFTs) and PN diodes on glass substrates for various applications of liquid
crystal displays (LCDs), organic light emitting diodes (OLEDs), and solar
cells. According to the apparatuses of the present invention, the
semiconductor films can be heat-treated without damaging the thermally
susceptible substrates: e.g., crystallization of amorphous silicon films
at the minimum thermal budget acceptable for the use of glass, enhancing
kinetics of dopant activation at the minimum thermal budget acceptable for
the use of glass.
La actual invención se relaciona con los aparatos para el tratamiento térmico continuo y eficiente de las películas del semiconductor sobre los substratos no conductores termal susceptibles en un presupuesto termal mínimo, y más particularmente, a los transistores thin-film de un silicio polycrystalline (poly-Silicio TFTs) y a los diodos del PN en los substratos de cristal para los varios usos de los indicadores de cristal líquido (LCDs), a los diodos electroluminosos orgánicos (OLEDs), y a las células solares. Según los aparatos de la actual invención, las películas del semiconductor pueden ser sometidas a un tratamiento térmico sin dañar los substratos termal susceptibles: e.g., cristalización de las películas amorfas del silicio en el presupuesto termal mínimo aceptable para el uso del cristal, realzando la cinética de la activación del dopant en el presupuesto termal mínimo aceptable para el uso del cristal.
