Disclosed is a semiconductor device comprising: a multiplicity of wiring
levels, each wiring level comprising conductive wires and a multiplicity
of conductive fill shapes embedded in a dielectric; at least some of the
fill shapes in at least two adjacent wiring levels being co-aligned; and
where the fill shapes on adjacent levels are aligned, one or more
conductive vias extending between and joining each co-aligned fill shape
in each adjacent wiring level. The joined fill shapes serve to reinforce
and support the dielectric, which may be a non-rigid or low-k dielectric.
È rilevato contenere del dispositivo a semiconduttore: una molteplicità di collegamenti livella, legare conduttivi contenenti livellati di ogni collegamenti e una molteplicità di figure conduttive del materiale di riempimento incluse in un dielettrico; almeno alcuno del materiale di riempimento modella in almeno due livelli adiacenti dei collegamenti chesono allineati; e dove il materiale di riempimento modella ai livelli adiacenti sono allineati, uno o più vias conduttivi che si estendono in mezzo e che uniscono ogni figura co-allineata del materiale di riempimento in ogni livello adiacente dei collegamenti. Le figure unite del materiale di riempimento servono a rinforzare e sostenere il dielettrico, che può essere un dielettrico non rigido o basso-K.
