Current perpendicular to the planes (CPP) spin valve sensor with in-stack biased free layer and self-pinned antiparallel (AP) pinned layer structure


A spin valve sensor has an antiparallel (AP) pinned layer structure which has ferromagnetic first and second AP pinned layers that are separated by an antiparallel coupling layer. The first and second AP pinned layers are self-pinned antiparallel with respect to one another without the assistance of an antiferromagnetic (AFM) pinning layer. The spin valve sensor further includes an in-stack longitudinal biasing layer structure which is magnetostatically coupled to the free layer for longitudinally biasing a magnetic moment of the free layer parallel to an air bearing surface and parallel to major planes of the layers of the sensor. The only AFM pinning layer employed is in the biasing layer structure so that when the magnetic spins of the AFM pinning layer are set the orientations of the magnetic moments of the AP pinned layer structure are not disturbed. First and second leads are connected to the sensor for conducting a sense current through the sensor perpendicular to major planes of the layers of the sensor.

Ένας αισθητήρας βαλβίδων περιστροφής έχει μια αντιπαράλληλη καρφωμένη (AP) δομή στρώματος που έχει ferromagnetic πρώτα και τα δεύτερο καρφωμένα AP στρώματα που χωρίζεται από ένα αντιπαράλληλο στρώμα συζεύξεων. Τα το πρώτο και δεύτερο καρφωμένα AP στρώματα μόνος-καρφώνονται αντιπαράλληλος όσον αφορά το ένα άλλο χωρίς τη βοήθεια ενός αντισιδηρομαγνητικού (AFM) καρφώνοντας το στρώμα. Ο αισθητήρας βαλβίδων περιστροφής περιλαμβάνει περαιτέρω μια διαμήκη προκαταλαμβάνοντας δομή στρώματος-ΣΩΡΏΝ που συνδέεται magnetostatically με το ελεύθερο στρώμα για κατά μήκος να προκαταλάβει μια μαγνητική στιγμή του ελεύθερου στρώματος παράλληλου σε μια επιφάνεια ρουλεμάν αέρα και έναν παράλληλο σε σημαντικά αεροπλάνα των στρωμάτων του αισθητήρα. Το μόνο AFM που καρφώνει το στρώμα που υιοθετείται είναι στην προκαταλαμβάνοντας δομή στρώματος έτσι ώστε όταν τίθενται οι μαγνητικές περιστροφές του AFM που καρφώνει το στρώμα οι προσανατολισμοί των μαγνητικών στιγμών της καρφωμένης AP δομής στρώματος δεν είναι διαταραγμένοι. Πρώτα και δεύτεροι μόλυβδοι συνδέεται με τον αισθητήρα για τη διεύθυνση ενός ρεύματος αίσθησης μέσω της καθέτου αισθητήρων σε σημαντικά αεροπλάνα των στρωμάτων του αισθητήρα.


< Disc cartridge, optical disk device, and method for information recording and reproducing

< Magnetic thin film, magnetic thin film forming method, and recording head

> Magneto-resistive head and magnetic tunnel junction magneto-resistive head having plural ferromagnetic layers and an anitferromagnetically coupling layer

> Magnetic sensor and production method thereof, ferromagnetic tunnel junction element, and magnetic head

~ 00113