In a data read operation, a selected memory cell and a reference memory
cell are connected to complementary first and second data lines via
complementary first and second bit lines, respectively. A differential
amplifier supplies passing currents of the memory cell and the reference
cell to complementary first and second data buses, and amplifies a passing
current difference between the first and second data buses occurring
corresponding to an electric resistance difference between the memory cell
and reference cell to produce a voltage difference of a polarity
corresponding to the level of the stored data of the selected memory cell
between first and second nodes.
Nei dati l'operazione di lettura, una cellula di memoria selezionata e una cellula di memoria di riferimento sono collegate alle prime e seconde linee di dati complementari via le prime e seconde linee complementari della punta, rispettivamente. Un amplificatore differenziale assicura passare le correnti della cellula di memoria e della cellula di riferimento ai primi e secondi canali omnibus di dati complementari ed amplifica una differenza corrente passante fra primo e secondo corrispondere d'avvenimento dei canali omnibus di dati ad una differenza di resistenza elettrica fra la cellula di memoria e la cellula di riferimento per produrre una differenza di tensione di una polarità che corrisponde al livello dei dati memorizzati della cellula di memoria selezionata in mezzo in primo luogo e dei secondi nodi.
