A method for forming atomic-scale contacts and atomic-scale gaps between
two electrodes is disclosed. The method provides for applying a voltage
between two electrodes in a circuit with a resistor. The applied voltage
etches metal ions off one electrode and deposits the metal ions onto the
second electrode. The metal ions are deposited on the sharpest point of
the second electrode, causing the second electrode to grow towards the
first electrode until an atomic-scale contact is formed. By increasing the
magnitude of the resistor, the etching and deposition process will
terminate prior to contact, forming an atomic-scale gap. The atomic-scale
contacts and gaps formed according to this method are useful as a variety
of nanosensors including chemical sensors, biosensors, hydrogen ion
sensors, heavy metal ion sensors, magnetoresistive sensors, and molecular
switches.
Eine Methode für die Formung Atom-stufen Kontakte ein und Atom-stufen Abstände zwischen zwei Elektroden wird freigegeben ein. Die Methode versieht für das Anwenden einer Spannung zwischen zwei Elektroden in einem Stromkreis mit einem Widerstand. Die angewandten Spannung Ätzung-Metallionen weg weg einer Elektrode und von den Ablagerungen die Metallionen auf die zweite Elektrode. Die Metallionen werden im schärfsten Punkt der zweiten Elektrode niedergelegt und veranlassen die zweite Elektrode, in Richtung zur ersten Elektrode zu wachsen, bis Kontakt ist gebildet Atom-einstufen Sie. Indem die Erhöhung der Größe des Widerstandes, der Radierung und des Absetzungprozesses, beendet vor Kontakt, die Formung Atom-einstufen Abstand. Atom-stufen Sie Kontakte ein und die Abstände, die entsprechend dieser Methode gebildet werden, sind als Vielzahl von nanosensors einschließlich chemische Sensoren, Biosensors, Wasserstoffion-Sensoren, Schwermetallionen-Sensoren, magnetoresistente Sensoren und molekulare Schalter nützlich.
