It is an object to provide a semiconductor device having a copper wiring
structure in which a copper diffusion preventing capability of a silicon
carbide film can be improved and a lifetime maintained until a dielectric
breakdown caused by copper diffusion can be increased, and furthermore, a
method of manufacturing the semiconductor device. A first copper diffusion
preventive film (8) is provided between a first copper wiring (7) and a
second low permittivity interlayer insulating film (9). A silicon carbide
film containing oxygen atoms or the oxygen atoms and nitrogen atoms in 30
atomic % or more is employed for the first copper diffusion preventive
film (8). By employing such a silicon carbide film, a copper diffusion
preventing function can be improved and a lifetime maintained until a
dielectric breakdown caused by the copper diffusion can be increased.
C'est un objet pour fournir un dispositif de semi-conducteur ayant une structure de cuivre de câblage en laquelle une diffusion de cuivre empêchant des possibilités d'un film de carbure de silicium peut être améliorée et une vie être maintenue jusqu'à ce qu'une panne diélectrique provoquée par la diffusion de cuivre puisse être augmentée, et en outre, une méthode de fabriquer le dispositif de semi-conducteur. Un film préventif de la première diffusion de en cuivre (8) est fourni entre un premier câblage de en cuivre (7) et un film isolant de la deuxième basse couche intercalaire de constante diélectrique (9). Un film de carbure de silicium contenant des atomes d'oxygène ou les atomes d'oxygène et des atomes d'azote dans 30 % atomiques ou plus est utilisé pour le film préventif de la première diffusion de en cuivre (8). En utilisant un tel film de carbure de silicium, une diffusion de cuivre empêchant la fonction peut être améliorée et une vie être maintenue jusqu'à ce qu'une panne diélectrique provoquée par la diffusion de cuivre puisse être augmentée.
