Photoresist monomers, photoresist polymers prepared therefrom, and
photoresist compositions using the polymer are disclosed. The photoresist
polymers include photoresist monomers containing fluorine-substituted
benzylcarboxylate group represented by Formula 1. The photoresist
composition has excellent etching resistance, heat resistance and
adhesiveness, and is developable in aqueous tetramethylammonium hydroxide
(TMAH) solution. As the composition has low light absorbance at 193 nm and
157 nm wavelength, it is suitable for a process using ultraviolet light
source such as VUV (157 nm).
##STR1##
In the Formula, R.sub.1, R.sub.2, R.sub.3 and m are defined in the
specification.
Показаны мономеры фоторезиста, полимеры фоторезиста подготовленные therefrom, и составы фоторезиста используя полимер. Полимеры фоторезиста вклюают мономеры фоторезиста содержа фтор-zamenennuh группу benzylcarboxylate представленную Формулой 1. Состав фоторезиста имеет превосходное сопротивление вытравливания, сопротивление жары и адгезивность, и developable в водяном разрешении окисоводопода tetramethylammonium (TMAH). По мере того как состав имеет absorbance нижнего света на 193 nm и длине волны 157 nm, целесообразно для процесса использующ источник ультрафиолетового света such as VUV (157 nm). ## ## STR1 В формуле, R.sub.1, R.sub.2, R.sub.3 и м определены в спецификации.
