Current driving circuit

   
   

A current driving circuit includes a first terminal electrically connected to a voltage source, a second terminal grounded, a signal line through which a signal current runs, a first switch, a second switch electrically connected to the signal line and further electrically connected in series to the first switch, a third switch electrically connected to the first terminal, a memory stage converting the signal current into a voltage and stores the voltage therein, a driving transistor, a load electrically connected between a source of the driving transistor and the second terminal, and a selection line electrically connected to the first to third switches. The signal line is electrically connected to a gate of the driving transistor through the first and second switches. The memory stage is electrically connected between a gate of the driving transistor and the second terminal. The first switch is electrically connected between a drain and a gate of the driving transistor. The driving transistor has a drain electrically connected to the signal line through the second switch and further to the first terminal through the third switch.

Un circuit courant d'entraînement inclut une première borne électriquement reliée à une source de tension, une deuxième borne fondée, une ligne par lesquelles un courant de signal fonctionne, un premier commutateur, un deuxième commutateur électriquement relié à la ligne et les promeut électriquement relié en série au premier commutateur, un troisième commutateur électriquement relié à la première borne, une étape de mémoire convertissant le courant de signal en tension et les magasins la tension là-dedans, un transistor amplificateur, une charge se sont électriquement reliés entre une source du transistor amplificateur et la deuxième borne, et une ligne de choix s'est électriquement reliée aux premiers à troisième commutateurs. La ligne est électriquement reliée à une porte du transistor amplificateur par les premiers et deuxièmes commutateurs. L'étape de mémoire est électriquement reliée entre une porte du transistor amplificateur et la deuxième borne. Le premier commutateur est électriquement relié entre un drain et une porte du transistor amplificateur. Le transistor amplificateur a un drain électriquement relié à la ligne par le deuxième commutateur et suite à la première borne au troisième commutateur.

 
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