The invention includes a magnetoresistive memory device having a memory bit
stack. The stack includes a first magnetic layer, a second magnetic layer,
and a non-magnetic layer between the first and second magnetic layers. A
first conductive line is proximate the stack and configured for
utilization in reading information from the memory bit. The first
conductive line is ohmically connecting with either the first or second
magnetic layer. A second conductive line is spaced from the stack by a
sufficient distance that the second conductive line is not ohmically
connected to the stack, and is configured for utilization in writing
information to the memory bit.
La invención incluye un dispositivo de memoria magnetoresistente que tiene un apilado del pedacito de la memoria. El apilado incluye una primera capa magnética, una segunda capa magnética, y una capa no magnética entre las primeras y segundas capas magnéticas. Una primera línea conductora es próxima el apilado y configurado para la utilización en la información de la lectura del pedacito de la memoria. La primera línea conductora ohmically está conectando con la primera o en segundo lugar magnética capa. Una segunda línea conductora es espaciada del apilado por una suficiente distancia que la segunda línea conductora ohmically no está conectada con el apilado, y está configurada para la utilización en la información de la escritura al pedacito de la memoria.
