A GaN-based compound semiconductor epi-wafer includes: a substrate 11 made
of a first nitride semiconductor belonging to a hexagonal system; and an
element layer 12 for forming a semiconductor element, which is made of a
second nitride semiconductor belonging to the hexagonal system and which
is grown on a principal surface of the substrate 11. An orientation of the
principal surface of the substrate 11 has an off-angle in a predetermined
direction with respect to a (0001) plane, and the element layer 12 has a
surface morphology of a stripe pattern extending substantially in parallel
to the predetermined direction.
ГаН-osnovanna4 епи-vafl4 составного полупроводника вклюает: субстрат 11 сделал из первого полупроводника нитрида принадлежа к шестиугольной системе; и слой 12 элемента для формировать элемент полупроводника, который сделаны из второго полупроводника нитрида принадлежа к шестиугольной системе и который растется на главным образом поверхности субстрата 11. Ориентация главным образом поверхности субстрата 11 имеет-UGOL в предопределенном направлении по отношению к плоскости а (0001), и слой 12 природная стихия имеет поверхностное словотолкование картины нашивки удлиняя существенн параллельно к предопределенному направлению.
