A multiple-trench photosensor for use in a CMOS imager having an improved
charge capacity. The multi-trench photosensor may be either a photogate or
photodiode structure. The multi-trench photosensor provides the
photosensitive element with an increased surface area compared to a flat
photosensor occupying a comparable area on a substrate. The multi-trench
photosensor also exhibits a higher charge capacity, improved dynamic
range, and a better signal-to-noise ratio. Also disclosed are processes
for forming the multi-trench photosensor.
Un photodétecteur de multiple-fossé pour l'usage dans une encre en poudre de CMOS ayant une capacité améliorée de charge. Le photodétecteur de multi-fossé peut être un photogate ou structure de photodiode. Le photodétecteur de multi-fossé fournit à l'élément photosensible une superficie accrue comparée à un photodétecteur plat occupant un secteur comparable sur un substrat. Le photodétecteur de multi-fossé montre également une capacité plus élevée de charge, une gamme dynamique améliorée, et un meilleur rapport signal/bruit. En outre révélés sont des processus pour former le photodétecteur de multi-fossé.
