A structure and a method for forming the structure, the method including
forming a compressively strained semiconductor layer, the compressively
strained layer having a strain greater than or equal to 0.25%. A tensilely
strained semiconductor layer is formed over the compressively strained
layer. The compressively strained layer is substantially planar, having a
surface roughness characterized in (i) having an average wavelength
greater than an average wavelength of a carrier in the compressively
strained layer or (ii) having an average height less than 10 nm.
Uma estrutura e um método para dar forma à estrutura, o método including dar forma a uma camada compressively esticada do semicondutor, à camada compressively esticada tendo uma tensão mais grande do que ou o igual a 0.25%. Uma camada tensilely esticada do semicondutor é dada forma sobre a camada compressively esticada. A camada compressively esticada é substancialmente planar, tendo uma aspereza de superfície caracterizada (i) em ter um wavelength médio mais grande do que um wavelength médio de um portador na camada compressively esticada ou (ii) tendo uma altura média mais menos de 10 nm.
