Compound semiconductor device, production method thereof, light-emitting device and transistor

   
   

A semiconductor device having a silicon single crystal substrate and a boron phosphide semiconductor layer containing boron and phosphorus as constituent elements on a surface of the silicon single crystal substrate is disclosed. The surface of the silicon single crystal substrate is a {111} crystal plane inclined at an angle of 5.0.degree. to 9.0.degree. toward a <110> crystal azimuth.

Прибора на полупроводниках имея субстрат одиночного кристалла кремния и полупроводник фосфида бора наслаивают содержать бор и фосфор по мере того как показаны составные элементы на поверхности субстрата одиночного кристалла кремния. Поверхность субстрата одиночного кристалла кремния 111} crystal плоское inclined а {под углом 5.0.degree. к 9.0.degree. к crystal азимуту.

 
Web www.patentalert.com

< III nitride compound semiconductor element an electrode forming method

< Image obtaining method and apparatus of an endoscope apparatus

> Optical probe and optical pick-up apparatus

> Semiconductor light emitting devices

~ 00111