Separating machine for thinned semiconductor substrate and separation method

   
   

A separating machine for separating a thinned semiconductor substrate from a holding substrate after a semiconductor substrate is bonded to the holding substrate with a thermoplastic resin and a back surface treatment including the thinning of the semiconductor substrate is carried out. The separating machine includes a pair of vacuum adsorption heads for adsorbing the holding substrate-bonded thinned semiconductor substrate from the holding substrate side and from the thinned semiconductor substrate side, which is opposite to the holding substrate side. At least one of the vacuum adsorption heads has a moving means for moving the vacuum adsorption head to adsorb and hold the bonded substrates in a predetermined position together with the other vacuum adsorption head. At least one of the vacuum adsorption heads, has a system for moving the vacuum adsorption head in a single swing direction for separating the bonded substrates after the above adsorption and holding operation is performed.

Eine trennende Maschine für das Trennen eines verdünnten Halbleitersubstrates von einem haltenen Substrat, nachdem ein Halbleitersubstrat zum haltenen Substrat mit einem thermoplastischen Harz und zu einer rückseitigen Oberflächenbehandlung einschließlich das Verdünnen des Halbleitersubstrates abgebunden ist, wird durchgeführt. Die trennende Maschine schließt ein Paar Vakuumaufnahmeköpfe für das Absorbieren des Holding Substrat-abgebundenen verdünnten Halbleitersubstrates von der haltenen Substratseite und von der verdünnten Halbleitersubstratseite ein, die gegenüber der haltenen Substratseite ist. Einer mindestens der Vakuumaufnahmeköpfe hat bewegende Mittel für das Verschieben des Vakuumaufnahmekopfes, um zu absorbieren und gehen die verbundenen Substrate in einer vorbestimmten Position zusammen mit der anderen Vakuumaufnahme zu halten voran. Einer mindestens der Vakuumaufnahmeköpfe, hat ein System für das Verschieben des Vakuumaufnahmekopfes in einer einzelnen Schwingenrichtung für das Trennen der verbundenen Substrate nach der oben genannten Aufnahme und das Halten des Betriebes wird durchgeführt.

 
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