Dynamic memory based on single electron storage

   
   

A method for forming edge-defined structures with sub-lithographic dimensions which are used to further form conduction channels and/or storage structures in memory cells. Sacrificial silicon nitride islands are deposited at low temperatures and then patterned and etched by high resolution etching techniques. Polysilicon is next deposited over the sacrificial silicon nitride islands and directionally etched to form edge-defined polysilicon dot and strip structures which are about one tenth the minimum feature size. The edge-defined polysilicon strips and dots are formed between the source and drain region of an NMOS device. Subsequent to the removal of the sacrificial silicon nitride islands, the edge-defined polysilicon strips and dots are used to mask a threshold voltage implantation in a conventional CMOS process. A conduction channel and two adjacent potential minimum dots are formed after the removal of the edge-defined polysilicon strips and dots.

Eine Methode für die Formung der Rand-definierten Strukturen mit Vor-lithographischen Maßen, die verwendet werden, um Übertragung Führungen und/oder Speicherstrukturen in den Speicherzellen weiter zu bilden. Opfersilikonnitridinseln werden bei den niedrigen Temperaturen niedergelegt und patterned dann und geätzt durch die hohe Auflösung, die Techniken ätzt. Polysilicon wird zunächst über den Opfersilikonnitridinseln niedergelegt und geätzt Richtungs-, um Rand-definierten polysilicon Punkt zu bilden und Strukturen abzustreifen, die ungefähr eine zehnten die minimale Eigenschaft Größe sind. Die Rand-definierten polysilicon Streifen und die Punkte werden zwischen der Quelle gebildet und Region einer NMOS Vorrichtung ablassen. Folgend dem Abbau der Opfersilikonnitridinseln, der Rand-definierten polysilicon Streifen und der Punkte werden verwendet, eine Schwelle Spannung Einpflanzung in einem herkömmlichen CMOS Prozeß zu verdecken. Eine Übertragung Führung und zwei angrenzende mögliche minimale Punkte werden nachdem der Abbau der Rand-definierten polysilicon Streifen und der Punkte gebildet.

 
Web www.patentalert.com

< Method for sorting particles

< Formation of thin film capacitors

> Secreted and transmembrane polypeptides and nucleic acids encoding the same

> Field emission device and method of fabricating the same

~ 00110