Lithographic photoresist composition and process for its use

   
   

A lithographic photoresist composition is provided that can be used as a chemical amplification photoresist. In a preferred embodiment, the composition is substantially transparent to deep ultraviolet radiation, i.e., radiation of a wavelength less than 250 nm, including 157 nm, 193 nm and 248 nm radiation, and has improved sensitivity and resolution. The composition comprises a fluorinated vinylic polymer, particularly a fluorinated methacrylate, a fluorinated methacrylonitrile, or a fluorinated methacrylic acid, and a photoacid generator. The polymer may be a homopolymer or a copolymer. A process for using the composition to generate resist images on a substrate is also provided, i.e., in the manufacture of integrated circuits or the like.

Uma composição lithographic do photoresist é contanto que pode ser usado como um photoresist químico do amplification. Em uma incorporação preferida, a composição é substancialmente transparente à radiação ultravioleta profunda, isto é, radiação de um wavelength menos de 250 nm, including 157 nm, 193 nm e radiação de 248 nm, e melhorou a sensibilidade e a definição. A composição compreende um polímero vinylic fluorinated, particularmente um methacrylate fluorinated, um methacrylonitrile fluorinated, ou um ácido methacrylic fluorinated, e um gerador do photoacid. O polímero pode ser um homopolymer ou um copolymer. Um processo para usar a composição gerar resiste imagens em uma carcaça é fornecido também, isto é, na manufatura de circuitos integrados ou do gosto.

 
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