A method of manufacturing a semiconductor device including a ferroelectric
capacitor is provided. A conductive plug is formed in a first insulating
layer on a semiconductor substrate. A first lower metal layer is formed
overlying the conductive plug. A lower metal oxide layer is formed on the
first lower metal layer. A second lower metal layer is formed on top of
the lower metal oxide layer. A ferroelectric layer is formed from a
ferroelectric material on the lower electrode layer at a crystallizing
temperature of approximately 700.degree. C. A first upper metal layer is
formed on top of the ferroelectric layer. Thereafter, a heat treatment
higher than the crystallizing temperature is performed. An upper metal
oxide layer is formed on top of the first upper metal layer. A second
upper metal layer is formed on top of the upper metal oxide layer.
Un metodo di produzione del dispositivo a semiconduttore compreso un condensatore ferroelectric è fornito. Una spina conduttiva è formata in un primo strato isolante su un substrato a semiconduttore. Un primo strato più basso del metallo è formato che ricopre la spina conduttiva. Uno strato più basso dell'ossido di metallo è formato sul primo strato più basso del metallo. Un secondo strato più basso del metallo è formato in cima allo strato più basso dell'ossido di metallo. Uno strato ferroelectric è formato da un materiale ferroelectric sullo strato più basso dell'elettrodo ad una temperatura di cristallizzazione di approssimativamente 700.degree. C. Un primo strato superiore del metallo è formato in cima allo strato ferroelectric. Da allora in poi, un trattamento termico più superiore alla temperatura di cristallizzazione è realizzato. Uno strato superiore dell'ossido di metallo è formato in cima al primo strato superiore del metallo. Un secondo strato superiore del metallo è formato in cima allo strato superiore dell'ossido di metallo.
