Current biased dual DBR grating semiconductor laser

   
   

A laser heterostructure having an active layer, a lateral waveguide terminating in an output aperture, and a gain section with a current drive electrode. A rear surface distributed Bragg grating with a tuning current electrode is formed on a surface of said laser heterostructure. The laser also includes a front surface distributed Bragg grating with a tuning current electrode on a surface of the laser heterostructure. The front surface distributed Bragg grating is closer to the output aperture than the rear surface distributed Bragg grating, There is a space between the rear surface distributed Bragg grating and the front surface distributed Bragg grating. A current drive electrode is formed on the space. Operation is best when the front surface distributed Bragg grating has adequate reflectivity at the Bragg wavelength with minimal scattering loss at other wavelengths, particularly at the wavelength of the rear surface Bragg grating.

Eine Laser Heterostruktur, die eine aktive Schicht, einen seitlichen Wellenleiter beenden in einer Ausgang Blendenöffnung und einen Gewinnabschnitt mit einer gegenwärtigen Antrieb Elektrode hat. Eine hintere Oberfläche verteilte Bragg Vergitterung mit einer abstimmenden gegenwärtigen Elektrode wird auf einer Oberfläche der besagten Laser Heterostruktur gebildet. Der Laser schließt auch eine vordere Oberfläche verteilte Bragg Vergitterung mit einer abstimmenden gegenwärtigen Elektrode auf einer Oberfläche der Laser Heterostruktur ein. Die vordere verteilte Bragg Oberflächenvergitterung ist näeher an der Ausgang Blendenöffnung als die hintere Oberfläche verteilte Bragg Vergitterung, es gibt einen Raum zwischen der hintere Oberfläche verteilten Bragg Vergitterung und der vordere Oberfläche verteilten Bragg Vergitterung. Eine gegenwärtige Antrieb Elektrode wird auf dem Raum gebildet. Betrieb ist, wenn die vordere verteilte Bragg Oberflächenvergitterung ausreichendes Reflexionsvermögen an der Bragg Wellenlänge mit minimalem Zerstreuenverlust an anderen Wellenlängen hat, besonders an der Wellenlänge der hinteren Oberflächenbragg Vergitterung am besten.

 
Web www.patentalert.com

< DFB semiconductor laser device

< Method for inspecting an internal floating roof in a liquid-containing storage tank

> Optical analyzer and method for reducing relative intensity noise in interferometric optical measurements using a continuously tunable laser

> Pumping light generator and fiber Raman amplifier

~ 00110