A semiconductor device is provided with a memory cell. The semiconductor
device includes a first gate--gate electrode layer, a second gate--gate
electrode layer, a first drain--drain wiring layer, a second drain--drain
wiring layer, a first drain-gate wiring layer and second drain-gate wiring
layers. The first drain-gate wiring layer and an upper layer and a lower
layer of the second drain-gate wiring layer are located in different
layers, respectively. The width of the first gate--gate electrode layer in
the first load transistor is larger than the width of the first gate--gate
electrode layer in the first driver transistor.
Σε μια συσκευή ημιαγωγών παρέχεται ένα κύτταρο μνήμης. Η συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει μια πρώτη πύλη -- στρώμα ηλεκτροδίων πυλών, μια δεύτερη πύλη -- στρώμα ηλεκτροδίων πυλών, ένας πρώτος αγωγός -- στραγγίξτε το στρώμα καλωδίωσης, ένας δεύτερος αγωγός -- στραγγίζει το στρώμα καλωδίωσης, ένα πρώτο στρώμα καλωδίωσης αγωγός-πυλών και δεύτερα στρώματα καλωδίωσης αγωγός-πυλών. Το πρώτο στρώμα καλωδίωσης αγωγός-πυλών και ένα ανώτερο στρώμα και ένα χαμηλότερο στρώμα του δεύτερου στρώματος καλωδίωσης αγωγός-πυλών βρίσκονται στα διαφορετικά στρώματα, αντίστοιχα. Το πλάτος της πρώτης πύλης -- στρώμα ηλεκτροδίων πυλών στο πρώτο φορτίο η κρυσταλλολυχνία είναι μεγαλύτερη από το πλάτος της πρώτης πύλης -- στρώμα ηλεκτροδίων πυλών στην πρώτη κρυσταλλολυχνία οδηγών.
