A method is disclosed for depositing an optical quality silica film on a
wafer by PECVD. The flows rates for a raw material gas, an oxidation gas,
a carrier gas, and a dopant gas are first set at predetermined levels. The
total deposition pressure is set at a predetermined level. The deposited
film is then subjected to a post deposition heat treatment at a
temperature selected to optimize the mechanical properties without
affecting the optical properties. Finally, the observed FTIR
characteristics of the deposited film are monitored to produce a film
having the desired optical and mechanical properties. This technique
permits the production of high quality optical films with reduced stress.
Eine Methode wird für das Niederlegen eines optischen Qualitätssilikonfilmes auf einer Oblate von PECVD freigegeben. Die Strömungsgeschwindigkeiten für ein Rohstoffgas, ein Oxidation Gas, ein Fördermaschinegas und ein Dopantgas werden zuerst auf vorbestimmten Niveaus eingestellt. Der Gesamtabsetzungdruck wird auf einem vorbestimmten Niveau eingestellt. Der niedergelegte Film wird dann einer Pfostenabsetzungwärmebehandlung bei einer Temperatur unterworfen, die vorgewählt wird, um die mechanischen Eigenschaften zu optimieren, ohne die optischen Eigenschaften zu beeinflussen. Schließlich werden die beobachteten FTIR Eigenschaften des niedergelegten Filmes überwacht, um einen Film zu produzieren, der die gewünschten optischen und mechanischen Eigenschaften hat. Diese Technik ermöglicht die Produktion der hohe Qualitätsoptischen Filme mit verringertem Druck.
