Two conductors of the same layer are separated by a low-K dielectric to
minimize capacitance between them. The first and second conductors may
have sidewalls with conductive barriers. The conductive barriers are
separated from the low-K dielectric by spacers. The dielectric spacers
have a top portion and a lower portion in which the top portion may have a
higher dielectric constant than the lower portion or may be the same
material. The two conductors are formed in trenches in a convenient
dielectric. Prior to forming the conductors, the conductive barriers are
deposited in the trench. After the conductors are formed, the convenient
dielectric is removed. The dielectric spacers are formed adjacent to the
conductive barriers. The low-K dielectric is then deposited adjacent to
the dielectric spacers and not in contact with the conductive barriers.
Dos conductores de la misma capa son separados por un dieléctrico bajo-K para reducir al mínimo capacitancia entre ellos. Los primeros y segundos conductores pueden tener flancos con las barreras conductoras. Las barreras conductoras son separadas del dieléctrico bajo-K por los espaciadores. Los espaciadores dieléctricos tienen una porción superior y una porción más baja en las cuales la porción superior pueda tener una constante dieléctrica más alta que la porción más baja o pueda ser el mismo material. Los dos conductores se forman en fosos en un dieléctrico conveniente. Antes de formar los conductores, las barreras conductoras se depositan en el foso. Después de que se formen los conductores, se quita el dieléctrico conveniente. Los espaciadores dieléctricos se forman adyacente a las barreras conductoras. El dieléctrico bajo-K entonces se deposita adyacente a los espaciadores dieléctricos y no en contacto con las barreras conductoras.
