A semiconductor device is manufactured by a method in which the number of
heat treatments at a high temperature (600.degree. C. or higher) is
reduced to thereby achieve a process at a low temperature (600.degree. C.
or lower), and a simplified process and improvement in throughput are
realized. An impurity region to which a rare gas element (also called a
rare gas) is added is formed on a semiconductor film of a crystalline
structure by using a mask. Gettering is performed in such a manner that a
metallic element contained in the semiconductor film is caused to
segregate in the impurity region by heat treatment. The impurity region is
thereafter used as a source or drain region.
Um dispositivo de semicondutor é manufaturado por um método em que o número de tratamentos de calor em uma alta temperatura (600.degree. C. ou mais elevado) é reduzido para conseguir desse modo um processo em uma temperatura baixa (600.degree. C. ou abaixe), e um processo e uma melhoria simplificados no throughput são realizados. Uma região da impureza a que um elemento raro do gás (chamado também um gás raro) é adicionado é dada forma em uma película do semicondutor de uma estrutura cristalina usando uma máscara. Gettering é executado em tal maneira que um elemento metálico contido na película do semicondutor é causado ao segregate na região da impureza pelo tratamento de calor. A região da impureza é usada depois disso como uma fonte ou uma região do dreno.
