An MRAM array has groupings of MRAM cells that are interconnected by word
control lines, bit lines, primary program control lines, and secondary
program control lines. Each MRAM cell is comprised of a magnetic tunnel
junction and a primary switching device connected between the magnetic
tunnel junction and one of the primary program control lines to provide
the write current through the pinned layer of the magnetic tunnel
junction. In a first embodiment, the pinned ferromagnetic layer is
connected directly to a segmented local program control line that
eliminates parasitic currents during read or write of an MRAM cell. In a
second embodiment, the MRAM cell includes a secondary switching device
connected between the second side of the ferromagnetic layer the local
program control line. The secondary program control lines are segmented to
eliminate parasitic currents during a read or write of an MRAM cell.
Een serie MRAM heeft groeperingen van cellen MRAM die door de lijnen van de woordcontrole onderling worden verbonden, beet lijnen, de primaire lijnen van de programmacontrole, en de secundaire lijnen van de programmacontrole. Elke cel MRAM wordt samengesteld van een magnetische tunnelverbinding en een primair omschakelingsapparaat dat tussen de magnetische tunnelverbinding en één van de primaire lijnen van de programmacontrole wordt aangesloten om te verstrekken schrijft stroom door de gespelde laag van de magnetische tunnelverbinding. In een eerste belichaming, wordt de gespelde ferromagnetische laag verbonden rechtstreeks met een gesegmenteerde lokale lijn van de programmacontrole die parasitische stromen tijdens gelezen elimineert of schrijft van een cel MRAM. In een tweede belichaming, omvat de cel MRAM een secundair omschakelingsapparaat dat tussen de tweede kant van de ferromagnetische laag de lokale lijn van de programmacontrole wordt verbonden. De secundaire lijnen van de programmacontrole zijn gesegmenteerd om parasitische stromen te elimineren tijdens gelezen of van een cel te schrijven MRAM.
