A memory provides a sensing scheme that maintains impedance balance between
the route that the data takes to the sense amplifier and the route the
reference or references take to the sense amplifier. Each sub-array of the
memory has an adjacent column decoder that couples data to a data line
that is also adjacent to the sub-array and may be considered part of the
column decoder. The data for the selected sub-array is routed to the sense
amplifier via its adjacent data line. The reference that is part of the
selected sub-array is coupled to the data line of a non-selected
sub-array. Thus the reference, which in the case of a MRAM type memory is
preferably in close proximity to the location of the selected data,
traverses a route to the sense amplifier that is impedance balanced with
respect to the route taken by the data.
Une mémoire fournit un arrangement de sensation qui maintient l'équilibre d'impédance entre l'itinéraire que les données prennent à l'amplificateur de sens et à l'itinéraire la référence ou la prise de références à l'amplificateur de sens. Chaque secondaire-rangez de la mémoire a un décodeur adjacent de colonne qui couple des données à une ligne de données qui est également à côté de secondaire-rangent et peuvent être considérées une partie du décodeur de colonne. Les données pour choisi secondaire-rangent sont conduites à l'amplificateur de sens par l'intermédiaire de son ligne de données adjacente. La référence qui fait partie de choisi secondaire-rangent est couplée à la ligne de données de l'non-choisi secondaire-rangent. Ainsi la référence, que dans le cas d'un type mémoire de MRAM est de préférence dedans la proximité étroite à l'endroit des données choisies, traverse un itinéraire à l'amplificateur de sens qui est impédance équilibrée en ce qui concerne l'itinéraire pris par les données.
