An integrated circuit and method for forming the same. The integrated
circuit includes a semiconductor wafer with first and second surfaces. A
functional circuit is formed on the first surface of the semiconductor
wafer. Further, a metallization layer is formed outwardly from the first
surface of the semiconductor wafer. The integrated circuit also includes
at least one high aspect ratio via that extends through the layer of
semiconductor material. This via provides a connection between a lead and
the functional circuit.
Интегрированная цепь и метод для формировать эти же. Интегрированная цепь вклюает вафлю полупроводника с сперва и вторые поверхности. Функциональная цепь сформирована на первой поверхности вафли полупроводника. Более потом, слой металлизирования сформирован наружно от первой поверхности вафли полупроводника. Интегрированная цепь также вклюает по крайней мере один высокий коэффициент сжатия через то проходит через слой материала полупроводника. Это через предусматривает соединение между руководством и функциональной цепью.
