Provided are a substrate for a surface-acoustic-wave device and a
surface-acoustic-wave device, in which an intermediate layer for
controlling crystal characteristics of a piezoelectric layer does not
easily separate from a diamond layer.
A surface-acoustic-wave device substrate 20 and a surface-acoustic-wave
device 10, according to the present invention, comprises a diamond layer
22, an intermediate layer 24 disposed on the diamond layer 22, and a
piezoelectric layer 26 disposed on the intermediate layer 24, the
piezoelectric layer 26 being made of LiNbO.sub.3 or LiTaO.sub.3, the
intermediate layer 24 being made of AlN.
Vorausgesetzt ein Substrat für sind, Oberfläche-akustisch-bewegen Sie Vorrichtung wellenartig und Oberfläche-akustisch-bewegen Sie Vorrichtung wellenartig, in der eine Zwischenschicht für steuernde Kristalleigenschaften einer piezoelektrischen Schicht nicht leicht getrennt von einer Diamantschicht. Oberfläche-akustisch-bewegen Sie Vorrichtung Substrat 20 wellenartig und Oberfläche-akustisch-bewegen Sie Vorrichtung 10, entsprechend der anwesenden Erfindung wellenartig, enthält eine Diamantschicht 22, eine Zwischenschicht 24, die auf der Diamantschicht 22 und einer piezoelektrischen Schicht 26 abgeschaffen wird auf der Zwischenschicht 24, der piezoelektrischen Schicht 26 gebildet werden von LiNbO.sub.3 oder LiTaO.sub.3, die Zwischenschicht abgeschaffen wird 24, die von AlN gebildet wird.
