A semiconductor laser that has a distributed feedback laser section and an
amplifier section. The amplifier section may be tapered to lower the
optical power density particularly at an output facet of the laser. The
semiconductor laser also includes a reflective element that reflects light
from the distributed feedback laser section to the amplifier section. The
reflective element folds the optical path of the light beam. Folding the
optical path allows the amplifier section area to be increased without
enlarging the semiconductor die size. The larger amplifier section will
increase the output power of the laser. Likewise, the reflective element
will allow the semiconductor die size to be reduced without decreasing the
optical power of the laser.
Een halfgeleiderlaser die een verspreide sectie van de terugkoppelingslaser en een versterkersectie heeft. De versterkersectie kan worden verminderd om de optische machtsdichtheid in het bijzonder bij een outputfacet van de laser te verminderen. De halfgeleiderlaser omvat ook een weerspiegelend element dat op licht van de verspreide sectie van de terugkoppelingslaser aan de versterkersectie wijst. Het weerspiegelende element vouwt de optische weg van de lichtstraal. Het vouwen van de optische weg laat het gebied van de versterkersectie toe om worden verhoogd zonder de grootte van de halfgeleidermatrijs te vergroten. De grotere versterkersectie zal het outputvermogen van de laser verhogen. Eveneens, zal het weerspiegelende element de grootte van de halfgeleidermatrijs om toelaten worden verminderd zonder het optische vermogen van de laser te verminderen.
