Effective channel length control using ion implant feed forward

   
   

The present invention discloses the use of ion implant recipe changes to control the effective channel length by compensating for any variation in the gate electrode width. The invention provides a method for controlling the effective channel length in FETs by measuring the gate electrode width, sending the measured gate electrode width to an ion implant controller, calculating a desired ion implant condition which compensates for any deviation in the effective channel length from target, and subsequently selecting or generating an ion implant recipe based on the desired conditions. Such ion implant recipe is then implanted into the FET to control the effective channel length by defining the halo, LDD, source, drain, or any other doped regions of the device which define the effective channel length, thereby resulting in a manufacturing process with higher yields and less scrap.

Η παρούσα εφεύρεση αποκαλύπτει τη χρήση των ιονικών αλλαγών συνταγής μοσχευμάτων για να ελέγξει το αποτελεσματικό μήκος καναλιών με την αποζημίωση για οποιασδήποτε παραλλαγής στο πλάτος ηλεκτροδίων πυλών. Η εφεύρεση παρέχει μια μέθοδο για το αποτελεσματικό μήκος καναλιών σε FETs με τη μέτρηση του πλάτους ηλεκτροδίων πυλών, στέλνοντας το μετρημένο πλάτος ηλεκτροδίων πυλών σε έναν ιονικό ελεγκτή μοσχευμάτων, που υπολογίζει έναν επιθυμητό ιονικό όρο μοσχευμάτων που αντισταθμίζει οποιαδήποτε απόκλιση στο αποτελεσματικό μήκος καναλιών από το στόχο, και επιλέγοντας στη συνέχεια ή την παραγωγή μιας ιονικής συνταγής μοσχευμάτων βασισμένης στους επιθυμητούς όρους. Τέτοια ιονική συνταγή μοσχευμάτων εμφυτεύεται έπειτα στο FET για να ελέγξει το αποτελεσματικό μήκος καναλιών με τον καθορισμό του φωτοστεφάνου, LDD, της πηγής, του αγωγού, ή οποιωνδήποτε άλλωνδήποτε ναρκωμένων περιοχών της συσκευής που καθορίζουν το αποτελεσματικό μήκος καναλιών, με αυτόν τον τρόπο με συνέπεια μια διαδικασία κατασκευής με τις υψηλότερες παραγωγές και το λιγότερο απόρριμα.

 
Web www.patentalert.com

< Scalable, hierarchical control for complex processes

< Method and apparatus for testing semiconductor wafers

> Metrology hardware specification using a hardware simulator

> System and method to improve IC fabrication through selective fusing

~ 00102