A maskless patterning apparatus allows for laser beam ablation of one or
more layers of material while not etching an underlying different material
layer. A micromirror array produces the desired complex pattern on the
workpiece and a continuous feature and end point detection system provides
location and material parameter changes to accurately control the pattern
position and depth of etching. End point detection includes monitoring
energy reflected from a specially prepared replica of the material to be
ablated, whose thickness and consistency match the active workpiece area.
The process terminates when the proper amount of material is removed.
Maskless делая по образцу прибор позволяет для удаления лазерныйа луч one or more слоев материала пока вытравляющ основной по-разному материальный слой. Блок micromirror производит заданную сложную картину на workpiece и непрерывная система обнаружения характеристики и end point обеспечивает положение и параметр материала изменяет точно для того чтобы контролировать положение картины и глубину вытравливания. Обнаружение end point вклюает контролировать энергию отраженную от специально подготовленной реплики материала, котор нужно аблировать, последовательность которого толщина и сопрягает активно зону workpiece. Процесс прекращает когда извлекается правильное количество материала.