Circuit and method of writing a toggle memory

   
   

A magnetoresistive random access memory is operated in a toggle fashion so that its logic state is flipped from its current state to the alternate state when written. This provides for a more consistent and reliable programming because the magnetic transitional energy states during the toggle operation are stable. In a write situation, however, this does mean that the state of the cell must be read and compared to the desired state of the cell before the cell is flipped. If the cell is already in the desired logic state, then it should not be written. This read time penalty before writing is reduced by beginning the write process while reading and then aborting the write step if the cell is already in the desired state. The write can actually begin on the cell and be aborted without adversely effecting the state of the cell.

Une mémoire à accès sélective magnétorésistante est actionnée d'une mode à bascule de sorte que son état de logique soit renversé de son état actuel à l'état alternatif une fois écrit. Ceci prévoit une programmation plus cohérente et plus fiable parce que les états transitoires magnétiques d'énergie pendant l'opération à bascule sont stables. Dans une situation d'inscription, cependant, ceci signifie que l'état de la cellule doit être lu et comparé à l'état désiré de la cellule avant que la cellule soit renversée. Si la cellule est déjà dans l'état désiré de logique, alors il ne devrait pas écrire. Ceci a lu la pénalité de temps avant que l'écriture soit réduite en commençant le procédé d'inscription tout en lisant et puis en avortant l'inscription faites un pas si la cellule est déjà dans l'état désiré. L'inscription peut commencer sur la cellule et être avortée réellement sans effectuer défavorablement l'état de la cellule.

 
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< Systems and methods for communicating with memory blocks

< Thin film magnetic memory device for selectively supplying a desired data write current to a plurality of memory blocks

> Apparatus and method for disturb-free programming of passive element memory cells

> MRAM cell having frustrated magnetic reservoirs

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