A semiconductor memory device (100) has been disclosed. A semiconductor
memory device (100) may include a select circuit region (31), a reading
circuit region (33), and a memory cell array region (30). Memory cell
array region (30) may include proximal memory cells (11A) and distal
memory cells (11B) with respect to a select circuit region (31) or a
reading circuit region (33). Distal memory cells (11B) have a current
drive characteristic that may be greater than a current drive
characteristic of proximal memory cells (11A). In this way, compensation
may be provided and a data propagation delay difference due to parasitic
values may be decreased.
Μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών (100) έχει αποκαλυφθεί. Μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών (100) μπορεί να περιλάβει μια επίλεκτη περιοχή κυκλωμάτων (31), μια περιοχή κυκλωμάτων ανάγνωσης (33), και μια περιοχή σειράς κυττάρων μνήμης περιοχών (30). σειράς κυττάρων μνήμης (30) μπορεί να περιλάβει τα κεντρικά κύτταρα μνήμης (11A) και τα ακραία κύτταρα μνήμης (11B) όσον αφορά μια επίλεκτη περιοχή κυκλωμάτων (31) ή κύτταρα μιας τα ακραία μνήμης περιοχών (33). κυκλωμάτων ανάγνωσης (11B) έχουν ένα παρόν χαρακτηριστικό κίνησης που μπορεί να είναι μεγαλύτερο από μια τρέχουσα κίνηση χαρακτηριστική των κεντρικών κυττάρων μνήμης (11A). Κατ' αυτό τον τρόπο, η αποζημίωση μπορεί να παρασχεθεί και μια διαφορά καθυστέρησης διάδοσης στοιχείων λόγω στις παρασιτικές τιμές μπορεί να μειωθεί.
