The present invention generally relates to nonvolatile ferroelectric memory
control devices, and more specifically, to a nonvolatile ferroelectric
memory control device suitable for an embedded memory. In the nonvolatile
ferroelectric memory control device of the present invention, a column
address area is arranged in the least significant bit region. When a
column address is accessed in the same row address, an address transition
detecting signal is not generated. According to the present invention, an
internal data register array is arranged and a repeated access address
controls the data register array so that data stored in the register may
be immediately outputted. Accordingly, the nonvolatile ferroelectric
memory control device of the present invention can reduce power
consumption when the FRAM is used as a program memory in a SOC (System on
Chip) structure and extends life of FRAM by decreasing power stress
applied to cells.
Die anwesende Erfindung bezieht im Allgemeinen auf permanenten ferroelectric Gedächtnissteuervorrichtungen und spezifischer, auf einer permanenten ferroelectric Gedächtnissteuervorrichtung, die für ein eingebettetes Gedächtnis verwendbar ist. In der permanenten ferroelectric Gedächtnissteuervorrichtung der anwesenden Erfindung, wird ein Spaltenadressebereich in der wenigen bedeutenden Spitze Region geordnet. Wenn eine Spaltenadresse in der gleichen Reihe Adresse erreicht wird, wird ein Adresse Übergang, der Signal ermittelt, nicht erzeugt. Entsprechend der anwesenden Erfindung wird eine interne Datenregisterreihe geordnet und eine registrieren wiederholte Zugang Adresse Kontrollen die Daten Reihe, damit die Daten, die im Register gespeichert werden, sofort sein können outputted. Dementsprechend kann die permanente ferroelectric Gedächtnissteuervorrichtung der anwesenden Erfindung Leistungsaufnahme verringern, wenn das FRAM während ein Programmgedächtnis in einer Soc (System auf Span) Struktur verwendet und das Leben von FRAM verlängert wird, indem man den Energie Druck verringert, der an den Zellen angewendet wird.
