A method for forming within a dielectric layer upon a substrate within a
microelectronics fabrication a series of contact via holes etched through
the dielectric layer to multi-level contact layers employing reactive
plasma etching methods to form the series of contact via holes. The first
plasma etch method employs fluorine containing gases to form the etched
via holes, and then the second plasma etch method employs oxygen and a
fluorocarbon gas to complete the etching of the via holes and remove
residual materials. The etched via holes access multi-level contact layers
formed upon the substrate at differing heights with respect to the
substrate, penetrating through at least one contact layer. This permits
formation of a series of electrical contacts, between the series of
contact layers and patterned conductor layers through the series of via
holes, with low electrical resistances.
Eine Methode für die Formung innerhalb einer dielektrischen Schicht nach einem Substrat innerhalb einer Mikroelektronikherstellung, die eine Reihe des Kontaktes über Bohrungen durch die dielektrische Schicht zu den Mehrebenenkontaktschichten ätzte, die reagierende Plasmaradierung Methoden einsetzen, um die Reihe des Kontaktes über Bohrungen zu bilden. Die erste Plasmaätzungmethode setzt das Fluor ein, das Gase enthält, um zu bilden geätzt über Bohrungen, und dann setzt die zweite Plasmaätzungmethode Sauerstoff und ein Fluorkohlenstoffgas ein, um die Radierung von über Bohrungen durchzuführen und Restmaterialien zu entfernen. Geätzt über Bohrungen machen die Mehrebenenkontaktschichten zugänglich, die nach dem Substrat auf unterscheidenen Höhen in Bezug auf das Substrat gebildet werden und dringen durch mindestens eine Kontaktschicht ein. Dieses ermöglicht Anordnung einer Reihe elektrischer Kontakte, zwischen der Reihe von Kontaktschichten und von patterned Leiterschichten durch die Reihe über der Bohrungen, mit niedrigen elektrischen Widerständen.
