The memory device has an electrically rewritable nonvolatile memory used as
a storage medium. To promote even deterioration throughout the memory, the
erasing time and writing time are measured, the influence of scatter of
cells in the memory are eliminated on the basis of the resultant
measurement values and a degree of deterioration is determined with a high
accuracy, whereby a memory device of a high reliability and high
efficiency is realized. In order to rewrite the nonvolatile memory,
therefore, the memory measures erasing time and writing time, compares
erasing time with stored reference time, compares the writing time from
the comparison results, and determines the degree of deterioration from
the correction results. Accordingly, control is possible such that,
successively, the more heavily deteriorated part of the memory is used
less frequently while the less deteriorated part is used more frequently.
Le bloc de mémoires a une mémoire non-volatile électriquement rewritable utilisée comme support de stockage. Pour favoriser la détérioration égale dans toute la mémoire, le temps d'effacement et le temps d'inscription sont mesurés, l'influence de l'éparpillement des cellules dans la mémoire sont éliminées sur la base des valeurs résultantes de mesure et un degré de détérioration est déterminé avec une exactitude élevée, par lequel un bloc de mémoires d'une fiabilité élevée et d'un rendement élevé soit réalisé. Afin de récrire la mémoire non-volatile, donc, la mémoire mesure effacer le temps et écrire le temps, compare effacer le temps au temps stocké de référence, compare le temps d'écriture des résultats de comparaison, et détermine le degré de détérioration des résultats de correction. En conséquence, la commande est possible tels que, successivement, la partie plus fortement détériorée de la mémoire est employée moins fréquemment tandis que la partie moins détériorée est employé plus fréquemment.
