A half metallic phase iron oxide (Fe.sub.3 O.sub.4) layer is employed in
either or both of a pinned layer structure and a free layer structure in a
spin valve sensor for filtering minority electrons and reflecting majority
electrons with respect to a spin scattering region for increasing the
magnetoresistive coefficient dr/R of a spin valve sensor.
Een half metaaloxyde van het faseijzer (O.sub.4) de laag Fe.sub.3 is aangewend in één van beiden of zowel van een gespelde laagstructuur als een vrije laagstructuur in een sensor van de rotatieklep voor het filtreren van minderheidselektronen en het wijzen van meerderheids op elektronen met betrekking tot een rotatie verspreidend gebied voor het verhogen van de magnetoresistive coëfficiënt dr/R van een sensor van de rotatieklep.
