Thermal expansion compensated opto-electronic semiconductor element, particularly ultraviolet (UV) light emitting diode, and method of its manufacture

   
   

An opto-electronic semiconductor element has a radiation emitting or receiving, that is, radiation active semiconductor chip secured to an electrically conductive base frame. One, or a plurality of chips, are surrounded by a housing which may be integral with or have, separately, a cover. All materials of the housing, as well as of the conductive base frame, have mutually matching thermal coefficients of expansion within the temperature ranges which arise during manufacture and in application of the semiconductive element, singly or as a plurality in a common housing. Glass, quartz glass, ceramic or glass ceramic are suitable for the housing or parts thereof; the conductive base frame is preferably made of cladded or jacketed copper wire or strip with an iron-nickel core. Assembling a plurality of chips in a housing which has a luminescence conversion layer, e.g. a phosphor applied thereto, permits construction of a flat light source.

Opto-electronic элемент полупроводника имеет радиацию испустить или получить, т.е., обломок полупроводника радиации активно обеспеченный к электрически проводной низкопробной рамке. Один, или множественность из обломоков, окружены снабжением жилищем которым смогите быть монолитно с или иметь, отдельно, крышка. Все материалы снабжения жилищем, также,как проводная низкопробная рамка, имеют взаимно сопрягая термально коэффициенты расширения внутри температурные амплитуды которые возникают во время изготовления и в применении semiconductive элемента, одиночно или как множественность в общем снабжении жилищем. Керамическое стекла, стекла кварца, керамических или стеклянных целесообразно для снабжения жилищем или частей thereof; проводная низкопробная рамка предпочтительн сделана cladded или jacketed медные провод или прокладка с сердечником утюг-nikel4. Собирающ множественность обломоков в снабжении жилищем имеет слой преобразования люминесценции, например светомассе приложенной к тому, конструкция разрешений плоского источника света.

 
Web www.patentalert.com

< Optical recording medium, optical recording and/or reproducing method, and optical recording and/or reproducing system

< Semiconductor light-emitting device for optical communications

> Group III nitride light emitting devices with progressively graded layers

> Method of making an aligned electrode on a semiconductor structure

~ 00101