The present invention incorporates built-in self test and self repair
functionality into a semiconductor memory device in which reconfiguration
data used to replace faulty memory is stored at the same time testing to
identify other faulty memory cells continues. To avoid access contention
conflicts to a content addressable memory used to identify rows or groups
of rows having faulty memory cells, the built in test function writes test
data to each cell at least twice before reading the stored data. By
writing twice before reading, contention problems caused by simultaneous
updating of the content addressable memory are avoided. That is, even if
the content addressable memory is initially unavailable to process address
information used to access a memory cell to be tested, repetition of the
write process ensure that the data will be properly stored when the memory
again becomes available after being updated.
Η παρούσα εφεύρεση ενσωματώνει την ενσωματωμένη μόνη δοκιμή και η μόνη λειτουργία επισκευής σε μια συσκευή μνήμης ημιαγωγών στην οποία το στοιχείο επανασχηματισμού που χρησιμοποιείται για να αντικαταστήσει την ελαττωματική μνήμη είναι αποθηκευμένη συγχρόνως δοκιμή για να προσδιορίσει άλλα ελαττωματικά κύτταρα μνήμης συνεχίζεται. Για να αποφύγει τις συγκρούσεις ισχυρισμού πρόσβασης σε μια ικανοποιημένη προσπελάσιμη μνήμη που χρησιμοποιείται για να προσδιορίσει τις σειρές ή τις ομάδες σειρών που έχουν τα ελαττωματικά κύτταρα μνήμης, χτισμένη στη λειτουργία δοκιμής γράφει τα στοιχεία δοκιμής σε κάθε κύτταρο τουλάχιστον δύο φορές πρίν διαβάζει τα αποθηκευμένα στοιχεία. Με να γράψουν δύο φορές πρίν διαβάζουν, τα προβλήματα ισχυρισμού που προκαλούνται με την ταυτόχρονη ενημέρωση της ικανοποιημένης προσπελάσιμης μνήμης αποφεύγονται. Δηλαδή ακόμα κι αν η ικανοποιημένη προσπελάσιμη μνήμη είναι αρχικά μη διαθέσιμη για να επεξεργαστεί τις πληροφορίες διευθύνσεων που χρησιμοποιούνται για να έχουν πρόσβαση σε ένα κύτταρο μνήμης που εξετάζεται, η επανάληψη γράφει ότι η διαδικασία εξασφαλίζει ότι τα στοιχεία θα αποθηκευτούν κατάλληλα όταν η μνήμη διατίθεται πάλι μετά από να ενημερωθεί.
