A discharge lamp bulb includes a light transmissive envelope and at least one conductive fiber disposed on a wall of the envelope, where the fiber has a thickness of less than 100 microns. The lamp may be either electrodeless or may include internal electrodes. Suitable materials for the fiber(s) include but are not limited to carbon, silicon carbide, aluminum, tantalum, molybdenum, platinum, and tungsten. Silicon carbide whiskers and platinum coated silicon carbide fibers may also be used. The fiber(s) may be aligned with the electrical field, at least during starting. The lamp preferably further includes a protective material covering the fiber(s). For example the protective material may be a sol gel deposited silica coating. Noble gases inside the bulb at pressures in excess of 300 Torr can be reliably ignited at applied electric field strengths of less than 4.times.10.sup.5 V/m. Over 2000 Torr xenon, krypton, and argon respectively achieve breakdown with an applied field of less than 3.times.10.sup.5 V/m.

Ένας βολβός λαμπτήρων απαλλαγής περιλαμβάνει έναν ελαφρύ μεταδιδόμενο φάκελο και τουλάχιστον μια αγώγιμη ίνα που διατίθενται σε έναν τοίχο του φακέλου, όπου η ίνα έχει ένα πάχος λιγότερο από 100 μικρών. Ο λαμπτήρας μπορεί να είναι είτε electrodeless είτε μπορεί να περιλάβει τα εσωτερικά ηλεκτρόδια. Τα κατάλληλα υλικά για την ίνα (σ) περιλαμβάνουν αλλά δεν περιορίζονται στον άνθρακα, το καρβίδιο του πυριτίου, το αργίλιο, το ταντάλιο, το μολυβδαίνιο, το λευκόχρυσο, και το βολφράμιο. Τα μουστάκια καρβιδίου του πυριτίου και ντυμένες οι λευκόχρυσος ίνες καρβιδίου του πυριτίου μπορούν επίσης να χρησιμοποιηθούν. Η ίνα (σ) μπορεί να ευθυγραμμιστεί με τον ηλεκτρικό τομέα, τουλάχιστον κατά τη διάρκεια της έναρξης. Ο λαμπτήρας κατά προτίμηση περαιτέρω περιλαμβάνει ένα προστατευτικό υλικό που καλύπτει την ίνα (σ). Παραδείγματος χάριν το προστατευτικό υλικό μπορεί να είναι ένα κατατεθειμένο επίστρωμα πυριτίου κολλοειδούς διαλύματος πήκτωμα. Τα ευγενή αέρια μέσα στο βολβό στις πιέσεις παραπάνω από 300 torr μπορούν να αναφλεχτούν σοβαρά στις εφαρμοσμένες ισχείς ηλεκτρικών πεδίων λιγότερο από 4.times.10.sup.5 V/m. Πάνω από 2000 torr xenon, κρυπτό, και αργό επιτυγχάνουν αντίστοιχα τη διακοπή με έναν εφαρμοσμένο τομέα λιγότερο από 3.times.10.sup.5 V/m.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Method and system for the situ synthesis of a combinatorial library of supported catalyst materials

> Method of making a metal film pattern

> (none)

~ 00085