The invention provides a probe structure in which secondary electrodes of a main base material in which probes are formed can be electrically connected to electrodes in a substrate side even when a lot of probes are formed in a large area, so that a lot of LSIs within a wafer can be tested in one lot in a wafer test process, whereby an efficiency of the test process can be improved. In the probe structure, an interposer constituted by a high rigid material is arranged between the main base material having the probes formed therein and the substrate side, and the secondary electrodes of the main base material having the probes formed therein are electrically connected to the electrodes in the substrate side via the interposer.

L'invenzione fornisce una struttura della sonda in cui gli elettrodi secondari di un materiale basso principale in cui le sonde sono formate possono essere collegati elettricamente agli elettrodi in un lato del substrato anche quando le sonde molto sono formate in una grande zona, di modo che LSIs molto all'interno di una cialda può essere esaminato in un lotto in un processo della prova della cialda, per cui un'efficienza del processo della prova può essere migliorata. Nella struttura della sonda, un'interposizione costituita da un alto materiale rigido è organizzata fra il materiale basso principale che ha le sonde formate in ciò ed il lato del substrato e gli elettrodi secondari del materiale basso principale che fa formare le sonde in ciò sono collegati elettricamente agli elettrodi nel lato del substrato via l'interposizione.