The white light emitting diode comprising a light emitting component using a semiconductor as a light emitting layer and a phosphor which absorbs a part of light emitted by the light emitting component and emits light of wavelength different from that of the absorbed light, wherein the light emitting layer of the light emitting component is a nitride compound semiconductor and the phosphor contains garnet fluorescent material activated with cerium which contains at least one element selected from the group consisting of Y, Lu, Sc, La, Gd and Sm, and at least one element selected from the group consisting of Al, Ga and In and, and is subject to less deterioration of emission characteristic even when used with high luminance for a long period of time.

Белый огонь испуская диод состоя из светлого испуская компонента использующ полупроводник как светлый испуская слой и светомасса поглощает часть света испущенную светлым испуская компонентом и испускает свет длины волны отличающийся от то из поглощенного света, при котором светлым испуская слоем светлого испуская компонента будет полупроводник нитрида составной и светомасса содержит материал венисы дневной активированный с церием который содержит по крайней мере один элемент выбранный от группы consist of ы, lu, sc, la, Gd и sm, и по крайней мере один элемент выбранный от al группы consist of, Ga и внутри и, и subject to меньше ухудшение качества характеристика излучения even when использовано с высоким luminance на длиннее периодо времени.